Comparison of each product of the radiation thermometer

Thứ Sáu, 12/12/2025

Temperature-based

1. For low temperature:-40 to 900℃　　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
5	IN5+	-32 ～ 900℃	8 ～ 14μm	Thermopile	80ms	φ2/100mm	0.6% or 1℃
	IN5-H+	-32 ～ 900℃	8 ～ 14μm	Thermopile	10ms	φ2/100mm	0.6% or 1.5℃
	IN5-L+	0 ～ 900℃	8 ～ 14μm	Thermopile	180ms	φ1.1/100mm	0.6% or 2℃
28	IN510/520	-40 ～ 700℃	8 ～ 14μm	Thermopile	180ms	φ5/50mm	0.8% or 1℃

2. For low and medium temperature: 5 to 1300℃

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
19	IPE140	5 ～ 500℃	3 ～ 5μm	PbSe	1.5ms	φ1.6/71mm	0.4% + 1℃
		30 ～ 1000℃	3 ～ 5μm	PbSe	1.5ms	φ1.1/105mm	0.4% + 1℃
		50 ～ 1200℃	3 ～ 5μm	PbSe	1.5ms	φ0.9/105mm	0.4% + 1℃
4	IGA6/23 IGA6/23-TV	50 ～ 1000℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	500μs	φ4.2/210mm	0.3% + 1℃
4	IGA6/23 IGA6/23-TV	75 ～ 1300℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	500μs	φ2.1/210mm	0.3% + 1℃
13	IGA320/23	75 ～ 550℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ5/250mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 1℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
13	IGA320/23	100 ～ 700℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ2.5/250mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 1℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
45	IGA140/23	50 ～ 700℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ1.7/105mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 2℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
		75 ～ 900℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ1.1/105mm
		100 ～ 1300℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ0.8/105mm

3. For medium and high temperature: 150 to 3000℃　　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
4	IGA6/23 IGA6/23-TV	150 ～ 1800℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	500μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
13	IGA320/23	150 ～ 1200℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ1.6/250mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 1℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
13	IGA320/23	200 ～ 1800℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ1.6/250mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 1℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
45	IGA140/23	150 ～ 1800℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	1.5ms	φ0.5/105mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 2℃ ＝ 400℃ ～ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
1	IGA6 IGA6-TV	250 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
1	IGA6 IGA6-TV	250 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
12	IGA320	300 ～ 1300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	2ms	φ2/250mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1650℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	2ms	φ3.2/600mm
		400 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	2ms	φ1.2/250mm
18	IGA140	220 ～ 1150℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.35/130mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		300 ～ 1300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		350 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		450 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		250 ～ 1350℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		300 ～ 2000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		350 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		300 ～ 3000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
9	IGA12 IGA12-S （Scanner available）	250 ～ 1000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ1.3/279mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		250 ～ 1400℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.9/279mm
		300 ～ 1300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.9/279mm
		350 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.5/279mm
		400 ～ 2300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.4/279mm

4. For High temperature: 600 to 3500℃

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
1	IS6 IS6-TV	600 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
1	IS6 IS6-TV	600 ～ 3000℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
12	IS320	550 ～ 1400℃	0.8 ～ 1.1μm	Si	2ms	φ3/250mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5℃ ＞ 1500℃
		600 ～ 1600℃	0.8 ～ 1.1μm	Si	2ms	φ2/250mm
		650 ～ 1800℃	0.8 ～ 1.1μm	Si	2ms	φ1.3/250mm
18	IS140	550 ～ 1400℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.35/130mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% ℃ ＞ 1500℃
		550 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		600 ～ 1600℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		650 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		750 ～ 2500℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		900 ～ 3300℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
18	IS140/67	1100 ～ 3500℃	0.676μm	Si	1ms	φ0.35/130mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
18	IS140/55	1000 ～ 2000℃	0.55μm	Si	1ms	φ0.35/130mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% ＞ 1500℃
9	IS12 IS12-S （Scanner available）	550 ～ 1400℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.9/80mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		550 ～ 2000℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.3/80mm
		600 ～ 1600℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.3/80mm
		650 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.3/80mm
		700 ～ 3500℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.1/80mm
		750 ～ 2500℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.1/80mm

By function

1. 2-color (ratio) radiation thermometer　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
44	IGAR6 monochrome	100 ～ 2000℃	1.5 ～ 2.5μm	InGaAs	2ms	φ2.1/210mm	0.4% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.8% ＞ 1500℃
44	IGAR6 2colour	250 ～ 2000℃	1.5 ～ 1.6/2.0 ～ 2.5（2colors）μm	InGaAs	2ms	φ2.1/210mm	0.4% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.8% ＞ 1500℃
2	ISR6 Advanced	600 ～ 1400℃	0.9/1.05（2colors）μm	Si	2ms	φ2.1/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
		700 ～ 1800℃			2ms	φ1.1/210mm
		800 ～ 2500℃			2ms	φ0.7/210mm
		1000 ～ 3000℃			2ms	φ0.7/210mm
3	ISR6-Ti Advanced	700 ～ 1800℃	0.9/1.05（2colors）μm	Si	2ms	φ1.1/210mm	0.5% + 2℃ ＜ 1500℃ 1% ＞ 1500℃
3	Same thermal image display	700 ～ 1800℃	0.9/1.05（2colors）μm	Si	25Hz	6° X 4.5°	0.5% + 2℃ ＜ 1500℃ 1% ＞ 1500℃
15	IGAR320	300 ～ 1300℃	1.5 ～ 1.6/2.0 ～ 2.5（2colors）μm	InGaAs	10ms	φ30/300mm	0.6% + 2℃
15	ISR320	700 ～ 1700℃	0.9/1.05（2colors）μm	Si	10ms	φ30/300mm	0.5% + 1℃ ＜ 1300℃ 1% ＞ 1300℃
33	IGAR12-LO	300 ～ 1000℃	1.52/1.64（2colors）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1300℃	1.28/1.65（2colors）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450 ～ 1700℃			2ms
		500 ～ 2200℃			2ms
		550 ～ 2500℃			2ms
		600 ～ 3300℃			2ms
	ISR12-LO	600 ～ 1300℃	0.8/1.05（2colors）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750 ～ 1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900 ～ 2500℃			2ms
		1000 ～ 3300℃			2ms
		1000 ～ 3500℃			2ms

2. Fiber optic radiation thermometer　　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
14	IGA320/23-LO	85 〜 600℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ1.2/88mm	2℃ ＜ 400℃ 0.3% + 1℃ ＞ 400℃
		100 ～ 700℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm
		150 ～ 1200℃	2 ～ 2.6μm	InGaAs	2ms	φ0.5/88mm
37	IGA50-LO	300 ～ 1300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.45/88mm	0.3% +1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		450 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		250 ～ 1350℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		300 ～ 2000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		350 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
	IS50-LO	550 ～ 1400℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		600 ～ 1600℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		650 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		750 ～ 2500℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		900 ～ 3300℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		550 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
40	IS50/67-LO	1100 ～ 3500℃	0.67μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
40	IS50/55-LO	1000 ～ 2300℃	0.55μm	Si	1ms	φ0.45/88mm
33	IGAR12-LO	300 ～ 1000℃	1.52/1.64（2colors）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1300℃	1.28/1.65（2colors）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450 ～ 1700℃			2ms
		500 ～ 2200℃			2ms
		550 ～ 2500℃			2ms
		600 ～ 3300℃			2ms
	ISR12-LO	600 ～ 1300℃	0.8/1.05（2colors）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750 ～ 1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900 ～ 2500℃			2ms
		1000 ～ 3300℃			2ms
		1000 ～ 3500℃			2ms
36	IS50-LO/GL	600 ～ 1800℃	0.8 ～ 1.1μm	Si	250ms	φ9/300mm	0.3% + 1℃ ＜1500℃ 0.5% + 1℃ ＞1500℃

3. Ultrafast response measurement　　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
24	IGA740	160 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	6μs	φ0.7/288mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	2 ～ 2.2μm
		500 ～ 2500℃	1.58 ～ 1.8μm
	IGA740-LO Optical fiber	200 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	6μs	φ1/70mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	2 ～ 2.2μm
		400 ～ 2500℃	1.58～1.8μm
25	IMGA740	160 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	10μs	φ2.5/450mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	1.58 ～ 2.2μm
		500 ～ 2500℃	1.58 ～ 1.8μm
		350 ～ 3500℃	2 ～ 2.5μm
	IMGA740-LO Optical fiber	200 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	10μs	φ1/70mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	1.58 ～ 2.2μm
		500 ～ 2500℃	1.58 ～ 1.8μm
		400 ～ 3000℃	2 ～ 2.5μm
		350 ～ 3500℃	2 ～ 2.5μm

4. Portable type

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
16	IGA8 pro	250 ～ 1600℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ2.2/500mm	0.4% + 1℃
	IGA8 pro	280 ～ 2000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ1.6/500mm	0.4% + 1℃
	IS8 pro	600 ～ 1800℃	0.78 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ1.6/500mm	0.4% + 1℃
	IS8 pro	750 ～ 2500℃	0.78 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ1/500mm	0.4% + 1℃
	IS8-GS pro	1000 ～ 2000℃	0.55μm	Si	500ms	φ2.8/500mm	0.4% + 1℃

By use

1. Flame-through Temperature Measurement

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
21	IPE140/39	20 ～ 700℃	3.9μm	PbSe	1.5ms	φ2.4/105mm	2.5℃ ＜ 400℃ 0.4% + 1℃ ＞ 400℃
		75 ～ 1200℃				φ0.9/105mm
		300 ～ 1450℃				φ0.7/105mm
		500 ～ 1800℃				φ0.7/105mm

2. Combustion gas temperature measurement　　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision	Shape
22	IPE140/45	400 ～ 2000℃	Combustion gas absorption zone	CO2specified wave length	1.5ms	φ1.1/115mm	0.6% ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃

3. Temperature of molten metal (tapping and holding temperature)　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
16	IS8-GS pro	1000 ～ 2000℃	0.55μm	Si	500ms	φ2.8/500mm	0.4% + 1℃
40	IS50/67-LO	1100 ～ 3500℃	0.67μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
40	IS50/55-LO	1000 ～ 2300℃	0.55μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
46	ISR12-LO/GS	750 ～ 1800℃	0.8/1.05（2-color thermometer）μm	Si	2ms	17ｘ1.6/340mm 41ｘ1.6/340mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
46	ISR12-LO/GS	900 ～ 2500℃	0.8/1.05（2-color thermometer）μm	Si	2ms	17ｘ1.6/340mm 41ｘ1.6/340mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃

4. For high frequency induction heating　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
33	IGAR12-LO	300 ～ 1000℃	1.52/1.64（2colors）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1300℃	1.28/1.65（2colors）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450 ～ 1700℃			2ms
		500 ～ 2200℃			2ms
		550 ～ 2500℃			2ms
		600 ～ 3300℃			2ms
	ISR12-LO	600 ～ 1300℃	0.8/1.05（2colors）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750 ～ 1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900 ～ 2500℃			2ms
		1000 ～ 3300℃			2ms
		1000 ～ 3500℃			2ms
37	IGA50-LO	300 ～ 1300℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ0.45/88mm	0.3% +1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		450 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		250 ～ 1350℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		300 ～ 2000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
		350 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms
	IS50-LO	550 ～ 1400℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ0.45/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
		600 ～ 1600℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		650 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		750 ～ 2500℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		900 ～ 3300℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms
		550 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	1ms

5. Laser welding for laser processing　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
44	IGAR6 monochrome	100 ～ 2000℃	1.5 ～ 2.5μm	InGaAs	2ms	φ2.1/210mm	0.4% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.8% ＞ 1500℃
44	IGAR6 2colour	250 ～ 2000℃	1.5 ～ 1.6/2.0 ～ 2.5（2colors）μm	InGaAs	2ms	φ2.1/210mm	0.4% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.8% ＞ 1500℃
33	IGAR12-LO	300 ～ 1000℃	1.52/1.64（2colors）μm	InGaAs	2ms	φ0.8/88mm	0.5% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.7% + 1℃ ＞ 1500℃
		350 ～ 1300℃	1.28/1.65（2colors）μm		2ms	φ0.45/88mm
		450 ～ 1700℃			2ms
		500 ～ 2200℃			2ms
		550 ～ 2500℃			2ms
		600 ～ 3300℃			2ms
	ISR12-LO	600 ～ 1300℃	0.8/1.05（2colors）μm	Si	2ms	φ0.8/88mm	0.4% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.6% + 1℃ ＞ 1500℃
		750 ～ 1800℃			2ms	φ0.45/88mm
		900 ～ 2500℃			2ms
		1000 ～ 3300℃			2ms
		1000 ～ 3500℃			2ms
24	IGA740	160 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	6μs	φ0.7/288mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	2 ～ 2.2μm
		500 ～ 2500℃	1.58 ～ 1.8μm
	IGA740-LO Optical fiber	200 ～ 1000℃	1.58 ～ 2.2μm	InGaAs	6μs	φ1/70mm	0.75%
		300 ～ 1400℃	1.58 ～ 1.8μm
		300 ～ 2300℃	2 ～ 2.2μm
		400 ～ 2500℃	1.58～1.8μm
1	IGA6 IGA6-TV	250 ～ 1800℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
	IGA6 IGA6-TV	250 ～ 2500℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
	IS6 IS6-TV	600 ～ 1800℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
	IS6 IS6-TV	600 ～ 3000℃	0.7 ～ 1.1μm	Si	120μs	φ0.6/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃

6. Glass production (melting furnace, forhearth, gob temperature)　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
36	IS50-LO/GL	600 ～ 1800℃	0.8 ～ 1.1μm	Si	250ms	φ9/300mm	0.3% + 1℃ ＜1500℃ 0.5% + 1℃ ＞1500℃
2	ISR6 Advanced	600 ～ 1400℃	0.9/1.05（2colors）μm	Si	2ms	φ2.1/210mm	0.3% + 2℃ ＜ 1500℃ 0.6% ＞ 1500℃
		700 ～ 1800℃			2ms	φ1.1/210mm
		800 ～ 2500℃			2ms	φ0.7/210mm
		1000 ～ 3000℃			2ms	φ0.7/210mm
16	IGA8 pro	250 ～ 1600℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ2.2/500mm	0.4% + 1℃
	IGA8 pro	280 ～ 2000℃	1.45 ～ 1.8μm	InGaAs	1ms	φ1.6/500mm	0.4% + 1℃
	IS8 pro	600 ～ 1800℃	0.78 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ1.6/500mm	0.4% + 1℃
	IS8 pro	750 ～ 2500℃	0.78 ～ 1.1μm	Si	1ms	φ1/500mm	0.4% + 1℃

7. Glass Surface Temperature　

Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision	Shape
6	IN5/5+	100 ～ 1300℃	5.14μm	Thermopile	80ms	φ2.5/100mm	06% or 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1% ＞ 1800℃
	IN5/5+	400 ～ 2500℃	5.14μm	Thermopile	80ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-H+	200 ～ 1300℃	5.14μm	Thermopile	10ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-H+	400 ～ 2500℃	5.14μm	Thermopile	10ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-L+	200 ～ 1300℃	5.14μm	Thermopile	80ms	φ1.1/105mm	08% or 3℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1.2% ＞ 1800℃
	IN5/5-L+	400 ～ 2500℃	5.14μm	Thermopile	80ms	φ1.1/105mm	08% or 3℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1.2% ＞ 1800℃
35	IN140/5	250 ～ 1400℃	5.14μm	Thermopile	40ms	φ1.3/100mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
		300 ～ 1600℃				φ1.3/100mm
		450 ～ 1500℃				φ1/100mm
		500 ～ 2500℃				φ1/100mm
	IN140/5-H	250 ～ 1400℃	5.14μm	Thermopile	10ms	φ1.3/100mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
		300 ～ 1600℃				φ1.3/100mm
		450 ～ 1500℃				φ1/100mm
		500 ～ 2500℃				φ1/100mm
	IN140/5-L	250 ～ 1400℃	5.14μm	Thermopile	40ms	φ1.3/159mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
		300 ～ 1600℃				φ1.3/159mm
		450 ～ 1500℃				φ0.9/159mm
		500 ～ 2500℃				φ0.9/159mm
8	For ultra-thin plate only IN6/78-L	400 ～ 1100℃	7.8μm	Thermopile	80ms	φ5/370mm	0.7% or 3℃
8	For ultra-thin plate only IN6/78-H	150 ～ 800℃	7.8μm	Thermopile	35ms	φ7/350mm	0.7% or 3℃

8. Aluminum Temperature Measurement 　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
10	IS12-AL	350 ～ 900℃	Near infrared narrow wavelength	Si	8ms	φ2.2/112mm	0.3% + 1℃
10	IS12-AL	400 ～ 1050℃	Near infrared narrow wavelength	Si	8ms	φ2.2/112mm	0.3% + 1℃
39	IS50-AL-LO	400～1000℃	Near infrared narrow wavelength	Si	1ms	φ1.1/88mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃

9. Film temperature　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision	Shape
20	IPE140/34	50 ～ 400℃	3.43μm	PbSe	1.5ms	φ3.3/110mm	2.5℃ ＜ 400℃ 0.4% + 1℃ ＞ 400℃
20	IPE140/34	75 ～ 500℃	3.43μm	PbSe	1.5ms	φ2.1/110mm	2.5℃ ＜ 400℃ 0.4% + 1℃ ＞ 400℃

10. Silicon wafer measurement

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
11	IS12-Si	350 ～ 1000℃	0.9μm	Si	10ms	φ2.2/120mm	0.4% + 1℃
		400 ～ 900℃	0.9μm	Si	10ms	φ1.2/80mm	0.4% + 1℃
		400 ～ 1300℃	0.9μm	Si	10ms	φ2.3/275mm	0.4% + 1℃
		500 ～ 1800℃	0.9μm	Si	10ms	φ0.7/80mm	0.4% + 1℃
38	IS50-Si-LO	400 ～ 1300℃	0.9μm	Si	1ms	φ0.8/110mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃
38	IS50-Si-LO	500 ～ 1600℃	0.9μm	Si	1ms	φ0.8/110mm	0.3% + 1℃ ＜ 1500℃ 0.5% + 1℃ ＞ 1500℃

11. PhotriX for semiconductor-manufacturing equipment

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
42	Lens like(LE) Wide range, low temperature	65 ～ 1000℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50mm	0.15％ or 0.15℃
	Lens like(LE) Wide range, low temperature	135 ～ 2400℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.5/50mm	0.15％ or 0.15℃
	Lens like(LE) Dedicated to silicon wafers	270 ～ 2150℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50mm	0.15％ or 0.15℃
	Lens like(LE) Dedicated to silicon wafers	300 ～ 2600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.7/50mm	0.15％ or 0.15℃
	Lens like(LE) Metal surface type	125 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.7/50mm	0.15％ or 0.15℃
	Lens like(LE) Metal surface type	180 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.5/50mm	0.15％ or 0.15℃
42	Light pipe type(LP) Wide range, low temperature	30 ～ 670℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
	Light pipe type(LP) Dedicated to silicon wafers	220 ～ 1300℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
	Light pipe type(LP) Metal surface type	70 ～ 1100℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
42	Lens + fiber extension(LE-LO) Wide range, low temperature	65 ～ 1000℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.8/50mm	0.15％ or 0.15℃
		80 ～ 1300℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.3/50mm	0.15％ or 0.15℃
		115 ～ 2600℃	0.7 ～ 1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50mm	0.15％ or 0.15℃
	Lens + fiber extension(LE-LO) Dedicated to silicon wafers	270 ～ 2150℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.4/50mm	0.15％ or 0.15℃
		290 ～ 2500℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.9/50mm	0.15％ or 0.15℃
		335 ～ 2600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50mm	0.15％ or 0.15℃
	Lens + fiber extension(LE-LO) Metal surface type	125 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.4/50mm	0.15％ or 0.15℃
		145 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ0.9/50mm	0.15％ or 0.15℃
		160 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ1.5/50mm	0.15％ or 0.15℃
42	Light pipe + fiber extension(LP-LO) Wide range, low temperature	60 ～ 900℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
		65 ～ 950℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
		100 ～ 1400℃	0.7～1.65μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
	Light pipe + fiber extension(LP-LO) Dedicated to silicon wafers	240 ～ 1600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
		255 ～ 1900℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
		290 ～ 2600℃	0.9μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
	Light pipe + fiber extension(LP-LO) Metal surface type	100 ～ 1800℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
		115 ～ 2400℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃
		155 ～ 2600℃	1.55μm	Si+InGaAs	1ms	φ2	0.15％ or 0.15℃

12. Lamp Heating Control　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision
20	IPE140/34	100 ～ 1500℃	3.43μm	PbSe	1.5ms	φ2.1/110mm	0.40%
6	IN5/5+	100 ～ 1300℃	5.14μm	Thermopile	80ms	φ2.5/100mm	06% or 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1% ＞ 1800℃
	IN5/5+	400 ～ 2500℃	5.14μm	Thermopile	80ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-H+	200 ～ 1300℃	5.14μm	Thermopile	10ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-H+	400 ～ 2500℃	5.14μm	Thermopile	10ms	φ2.5/100mm
	IN5/5-L+	200 ～ 1300℃	5.14μm	Thermopile	80ms	φ1.1/105mm	08% or 3℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1.2% ＞ 1800℃
	IN5/5-L+	400 ～ 2500℃	5.14μm	Thermopile	80ms	φ1.1/105mm	08% or 3℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＝ 1300℃ ～ 1800℃ 1.2% ＞ 1800℃
35	IN140/5	250 ～ 1400℃	5.14μm	Thermopile	40ms	φ1.3/100mm	0.6% + 2℃ ＜ 1300℃ 0.8% ＞ 1300℃
	IN140/5-H	300 ～ 1600℃	5.14μm	Thermopile	10ms	φ1.3/100mm
	IN140/5-L	450 ～ 1500℃	5.14μm	Thermopile	40ms	φ0.9/159mm
	IN140/5-L	500 ～ 2500℃	5.14μm	Thermopile	40ms	φ0.9/159mm

13. Sapphire Glass　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision	Shape
7	IN5/9+	0 ～ 1500℃	8 ～ 9.7μm	Thermopile	180ms	φ1.7/95mm	0.60%

14. GaN Film

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Response time	Minimum measuring diameter	Precision	Shape
43	UV400	650 ～ 1300℃	383 ～ 410nm	PMT	8ms	φ9.8/74mm	<1000℃：3℃ ＞1000℃：0.3％
43	UVR400	650 ～ 1300℃	383 ～ 410nm	PMT	8ms	φ9.8/74mm	<1000℃：3℃ ＞1000℃：0.3％

Infrared image

1. Infrared image through window　　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Measurement rate	Measuring angle of view (FOV)	Precision
101	MCS640/I1	600 ～ 1600℃	0.85μm	Uncooled two-dimensional sensor	60Hz	3.5° x 2.6° 5.4° x 4.0° 10.8° x 8.1° 22.5° x 17.0° 33.3° x 25.3°	0.5%
	MCS640/I1	800 ～ 3000℃	0.85μm		60Hz		0.5%
	MCS640/I5	600 ～ 1600℃	0.78 ～ 1.08μm		60Hz	3.5° x 2.6° 5.4° x 4.0° 10.8° x 8.1° 22.5° x 17.0° 33.3° x 25.3°	0.5%
	MCS640/I5	800 ～ 3000℃	0.78 ～ 1.08μm		60Hz		0.5%
	MCS640/M	1100 ～ 1600℃	0.65μm		60Hz	8.4 x 8.4/113mm	0.5%

2. Thermal image through flame　　　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Measurement rate	Measuring angle of view (FOV)	Precision	Shape
102	MC320F	200 ～ 800℃	3.9μm	Non-cooled planar array sensor Microbolometer	60Hz	21.6° x 16.3°	2% or 2℃
102	MC320FHT	400 ～ 1600℃	3.9μm	Non-cooled planar array sensor Microbolometer	60Hz	21.6° x 16.3°	2% or 2℃

3. Glass surface thermal image　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Measurement rate	Measuring angle of view (FOV)	Precision	Shape
102	MC320G	200 ～ 800℃	4.8-5.2μm	Non-cooled planar array sensor Microbolometer	60Hz	21.6° x 16.3°	2% or 2℃
102	MC320GHT	400 ～ 1600℃	4.8-5.2μm	Non-cooled planar array sensor Microbolometer	60Hz	21.6° x 16.3°	2% or 2℃

4. Thermal images of metals and ceramics　　　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Measurement rate	Measuring angle of view (FOV)	Precision
102	MC320M	150 ～ 500℃	3-5μm	Non-cooled planar array sensor Microbolometer	60Hz	21.6° x 16.3°	2% or 2℃
	MC320M	200 ～ 800℃	3-5μm		60H	21.6° x 16.3°	2% or 2℃
	MC320MHT	400 ～ 1600℃	3-5μm		60Hz	21.6° x 16.3°	2% or 2℃

5. General thermal image　

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Measurement rate	Measuring angle of view (FOV)	Precision
106	MCL640L	-40 ～ 120℃	8-14μm	Non-cooled planar array sensor Microbolometer	50Hz	57.3° x 43° 24.5° x 18.4° 12.5° x 9.4°	2% or 2℃
	MCL640L	0 ～ 500℃	8-14μm		50Hz	57.3° x 43° 24.5° x 18.4° 12.5° x 9.4°	2% or 2℃
	MCL640HT	200 ～ 1600℃	8-14μm		50Hz	57.3° x 43° 24.5° x 18.4° 12.5° x 9.4°	2% or 2℃

6. Combustion imaging system

No.	Model	Temperature range	Measurement wavelength	Element	Measurement rate	Measuring angle of view (FOV)	Precision
103	BoilerSpection	500 ～ 1600℃	3.9μm	Non-cooled planar array sensor Microbolometer	60Hz	50° x 38° 75° x 56°	2% or 2℃
104	FurnaceSpection	600 ～ 1800℃	0.85μm	Uncooled two-dimensional sensor	60Hz	50° x 38°	0.5%
105	FEGT Furnace outlet gas temperature measurement	400 ～ 2000℃	CO2 burning gas-absorption wavelength	PbSe	2ms	Measurement distance：1～8m	0.6% ＜ 1300℃ 0.8% ＞1300℃

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Temperature-based

1. For low temperature:-40 to 900℃

2. For low and medium temperature: 5 to 1300℃

3. For medium and high temperature: 150 to 3000℃

4. For High temperature: 600 to 3500℃

By function

1. 2-color (ratio) radiation thermometer

2. Fiber optic radiation thermometer

3. Ultrafast response measurement

4. Portable type

By use

1. Flame-through Temperature Measurement

2. Combustion gas temperature measurement

3. Temperature of molten metal (tapping and holding temperature)

4. For high frequency induction heating

5. Laser welding for laser processing

6. Glass production (melting furnace, forhearth, gob temperature)

7. Glass Surface Temperature

8. Aluminum Temperature Measurement

9. Film temperature

10. Silicon wafer measurement

11. PhotriX for semiconductor-manufacturing equipment

12. Lamp Heating Control

13. Sapphire Glass

14. GaN Film

Infrared image

1. Infrared image through window

2. Thermal image through flame

3. Glass surface thermal image

4. Thermal images of metals and ceramics

5. General thermal image

6. Combustion imaging system

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Danh Mục

1. For low temperature:-40 to 900℃　　

3. For medium and high temperature: 150 to 3000℃　　

1. 2-color (ratio) radiation thermometer　

2. Fiber optic radiation thermometer　　

3. Ultrafast response measurement　　

2. Combustion gas temperature measurement　　

3. Temperature of molten metal (tapping and holding temperature)　

4. For high frequency induction heating　

5. Laser welding for laser processing　

6. Glass production (melting furnace, forhearth, gob temperature)　

7. Glass Surface Temperature　

8. Aluminum Temperature Measurement 　

9. Film temperature　

12. Lamp Heating Control　

13. Sapphire Glass　

1. Infrared image through window　　

2. Thermal image through flame　　　

3. Glass surface thermal image　

4. Thermal images of metals and ceramics　　　

5. General thermal image　