GaN epitaxial growth thermometric UV400/UVR400

Thể loại: Radiation thermometer and thermal image

Mã: UV400/UVR400

Tình trạng: Còn hàng

Liên hệ

Hàng có sẵn tại kho

Chính sách bảo hành minh bạch theo tiêu chuẩn của hãng

Hợp đồng rõ ràng, yên tâm mua sắm

Hỗ trợ quý khách hàng / đối tác nhanh chóng, tận tình

LIÊN HỆ HỖ TRỢ
NHANH CHÓNG

Để được hỗ trợ tốt nhất. Hãy gọi

098 964 9965

Hoặc

Chat hỗ trợ trực tuyến

Product name

GaN epitaxial growth thermometry

Model number

UV400/UVR400

GaN epitaxial growth thermometry UV400/UVR400 enables the thermometry of GaN buffer layer growth and MQW growth.

Thermometry of GaN epitaxial layers grown on sapphire wafer.
Use UV beam (400nm) instead of wafer pocket temperature measurement in conventional NIR measurement to measure the temperature of GaN.
GaN buffer layer growth and MQW growth can be thermometrized.
High-temperature accuracy allows you to control LED emission wavelength.
It uses a highly sensitive PMT (photomultiplier tube), so it maintains good S/N and stabilities.
No optical interferences found in NIR measuring.
Measuring duration: Select from 8msec/20msec/100msec
Distance to the measuring surface: 73mm fixed
Digital (RS485) and analog-output

Temperature range	UV400	650 ～ 1150°C
	UVR400	Temperature: 650 ～ 1150°C
	UVR400	Reflectometry: 0.000 ～ 1.000
Detection wavelength	UV400	Center wave length: 400nm
	UV400	FWHM: 50nm
	UVR400	Temperature/Center Wavelength: 400nm half-width: 50nm
	UVR400	Reflectometry/Center Wavelength: 635nm half-width: 2nm (or 10%)